- технология МОП-структур с двухуровневыми поликремниевыми затворами
- MOP darinių su dvipakopėmis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double polysilicon gate MOS process vok. Doppel-Poly-Si-Gate-MOS-Technik, f rus. технология МОП-структур с двухуровневыми поликремниевыми затворами, f pranc. technologie MOS pour circuit intégré à grille polysilicium à deux niveaux, f
Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.